Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SK 1120

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 AОбщий заряд затвора (Qg): 120 nCСопротивление сток-исток от..

410.00 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 1377 (Plastik)

ОписаниеНаименование прибора: 2SK1377Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимы..

193.13 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 1388

ОписаниеНаименование прибора: 2SK1388Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение в..

85.37 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 1460

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 AМак..

129.77 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 1487

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 AМак..

823.17 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 1606

ОписаниеНаименование прибора: 2SK1606Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимы..

367.16 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 1821

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально доп..

256.05 ₽

В корзину

Популярный

2SK 1953

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затво..

129.29 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 2038

Технические параметрыСтруктура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В 800Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А ..

142.43 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 2039

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 AМакс..

278.78 ₽

В корзину

Популярный

2SK 2043

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 AМакси..

117.76 ₽

В корзину

Популярный

2SK 212

Тип транзистора: JFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 WПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 2.5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.02 AМаксимальная температура канала (Tj): 125 °CВыходная емко..

16.85 ₽

В корзину

Популярный

2SK 2134

ОписаниеНаименование прибора: 2SK2134Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 AМаксимальная температур..

47.76 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 2141

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 AМакси..

79.88 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 2275

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд зат..

150.88 ₽

В корзину

Популярный

2SK 241

ОписаниеНаименование прибора: 2SK241Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 5 VМаксимально допустимый ..

26.97 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 2718

ОписаниеТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 AОбщий заряд затвора (Qg): 21 nCСопротивление сток-и..

112.37 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 320

ОписаниеНаименование прибора: 2SK320Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый..

173.95 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 435

ОписаниеСтруктура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 32 ВНапряжение коллектор-база, не более: 32 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 4 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 36 ВтКоэффициент усиления тра..

132.07 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 544

Наименование: 2SK544Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 5 VМаксимально допустимый постоянный ток с..

20.45 ₽

В корзину

Популярный

2SK 727

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 AМакс..

182.93 ₽

В корзину

Популярный

2SK 791

ОписаниеНаименование прибора: 2SK791Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 850 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимы..

226.79 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 792

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 AМакс..

172.85 ₽

В корзину

Популярный

2SK 793

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 850 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 AМакс..

117.04 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.