0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Биполярный транзистор TIP32Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcимально допустимое ..
21.67 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Биполярный транзистор TIP32C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: TIP32C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллек..
54.57 ₽
В корзину
Новинки
Заканчивается
ОписаниеТранзисторы ГТ404 - германиевые, усилительные, средней мощные низкочастотные, структуры n-p-n(комплементарны ГТ402).Два варианта корпуса. Масса варианта 1 - не более 5гр, варианта 2 - не более 2гр. Маркировка буквенно - цифровая.Наиболее важн..
15.22 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор KT3102VПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение ..
15.22 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеКТ3102д, Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200МГц, h21e=200…500 [КТ-26 / TO-92] (=BC547B),Тип товара : Транзистры биполярныеСовместимость : Оригинальный предназначен для техники: ABCТип товара: Транзистры биполярные..
15.22 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ503ВСтруктура n-p-nМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
2.95 ₽
В корзину
Популярный
КТ837ФТранзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корп..
28.41 ₽
В корзину
Популярный
КТ852АТранзисторы КТ852А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28 (ТО-22..
28.41 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеГТ403АТранзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Выпускаются..
28.41 ₽
В корзину
Новинки
КТ3127АТранзистор КТ3127А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц.Предназначен для применения в усилителях высокой частоты. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибким..
50.74 ₽
В корзину
Популярный
КТ361ГТранзисторы КТ361Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке.Масса тран..
7.10 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
IHW30N120R3 H30R1203 IHW30N120R2 H30R1202 IHW30N120R H30R120 TO-247 30A 1200V IGBTАвтоматический ИС, цифро-аналоговый контур, одночиповый микрокомпьютер, фотоэлектрическая муфта, хранение, T Третермальный регулятор напряжения, SCR, Полевой эффект, Шо..
420.00 ₽
В корзину
Популярный
Технические параметрыМаксимальная определяемая длина волны 1100нмДлина волны пиковой чувствительности 850нмМинимальная определяемая длина волны 400нмМатериал диода КремнийПроизводитель ..
19.02 ₽
В корзину
Популярный
Продано
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2630Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 VМакcим..
1 152.66 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Биполярный транзистор 2SC3467Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 VМакcимально допустим..
17.16 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Популярный
Продано
Микросхема BA532 представляет собою усилитель низкой частоты.Напряжение питания = 9...16 В;Максимальная выходная мощность (Vcc = 13,2В, RL = 4 Ом, КНИ = 10%) = 5,8Вт;Возможность мостового включения;Номинальный коэффициент усиления = 55 дБ;Потребляемы..
144.07 ₽
Нет в наличии
Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).
В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.
Самый известный полупроводник — кремний (Si).
Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.
Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.