Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SD 2231

ОписаниеНаименование производителя: 2SD2391Маркировка: DTQТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (U..

224.23 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 2333 (Original)

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

102.44 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 5071

Биполярный транзистор 2SD5071Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допуст..

184.00 ₽

В корзину

Популярный

2SD 525

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A..

72.75 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 553

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..

128.96 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 560

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..

99.22 ₽

В корзину

Популярный

2SD 637(Q,R)

ОписаниеТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер..

6.91 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 751

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

198.42 ₽

В корзину

Популярный

2SD 756

ОписаниеНаименование производителя: 2SD756AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМак..

70.86 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 768

ОписаниеНаименование производителя: 2SD768Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный ..

109.60 ₽

В корзину

Популярный

2SD 774

2SD774, Транзистор NPN 100В 1А 1Вт [SP-8]Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный по..

66.59 ₽

В корзину

Популярный

2SD 788

Биполярный транзистор 2SD788Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допустимо..

19.20 ₽

В корзину

Популярный

2SD 794(A)

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база |Vcb|: 70 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|: 45 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база |Ve..

47.01 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 852

ОписаниеНаименование производителя: 2SD852Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 VМакcимальный..

726.56 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 869

ОписаниеНаименование производителя: 2SD869Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcи..

174.96 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 870

Биполярный транзистор 2SD870Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допусти..

205.00 ₽

В корзину

Популярный

2SD 879

Биполярный транзистор 2SD879Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряж..

24.18 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SD 883

ОписаниеНаименование производителя: 2SD883Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный ..

451.61 ₽

В корзину

Популярный

2SD 965Q

Биполярный транзистор 2SD965-QТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допусти..

7.77 ₽

В корзину

Популярный

2SD 992

ОписаниеНаименование производителя: 2SD992Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный п..

41.50 ₽

В корзину

Популярный

2SD2394 (NPN)

Биполярный транзистор 2SD2394 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: 2SD2394 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение колл..

77.00 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SJ 201

ОписаниеНаименование прибора: 2SJ201Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 AСопротивление сток-исто..

1 170.84 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 105

ОписаниеНаименование прибора: 2SK105Тип транзистора: JFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 5 VМаксимально допустимый п..

4.21 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SK 1096

Наименование 2SK1096Категория Мощный полевой транзисторПолярность N-Channel Максимальный ток стока (ID) 13 A Максимальная рассеиваемая мощность (Pc) 30 W Конфигурация количества элементов Один Количество элементов 1 Режим работы Режим усиления..

330.00 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.