0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Заканчивается
ОписаниеПроисхождение товара:Guangdong, ChinaНаименование:СтандартМодели:CR5AS-12Напряжение-состоянии off:600 ВНапряжение-ворота триггер (VGT) (макс.):800mVТок-ворота триггер (igt) (макс.):100uAНапряжение на состояние (vtm) (макс.):1.8 ВТекущее состо..
325.90 ₽
В корзину
Популярный
Производитель: Mitsubishi ElectricLow Power Use Non-Insulated Type / Glass Passivation Type..
207.44 ₽
В корзину
Популярный
Популярный
Заканчивается
Популярный
КУ221АТиристоры кремниевые КУ221А, диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые, импульсные, высокочастотные. Предназначены для применения в телевизионных приемниках цветного изображения при частоте до 30 кГц.Выпускаются в металлостеклянн..
111.62 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: 2SC3277Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..
152.11 ₽
В корзину
Популярный
2Т903АТранзисторы 2Т903А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масс..
202.95 ₽
В корзину
Новинки
Заканчивается
Технические параметрыСтруктура -- npn с резистором и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В -- 1500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В -- 700 Максимально допустимый т..
190.00 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеТехнические данные TO3PML(NPN; 110V; 6A; 50W; 20MHz)Функциональное назначение мощный усилительный..
691.46 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора MJE2955TСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -10 АРассеиваемая мощность коллектора,..
55.00 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: MJE800Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..
115.55 ₽
В корзину
Популярный
Модуль регулировки напряжения-Микросхема MJE13005, E13005-2MJE13005, Транзистор, NPN, 400В, 4А, 75Вт [TO-220]ХарактеристикиНазвание бренда-TZTНомер модели-MJE13005Происхождение-КитайТовары для ремонта-ELECTRICALСодержит вещества высокой опасности-Нет..
93.71 ₽
В корзину
Популярный
Модуль регулировки напряжения-Микросхема MJE13007, E13007-2MJE13007, Транзистор, NPN, 400В, 8А, 80Вт [TO-220]ХарактеристикиНазвание бренда-TZTНомер модели-MJE13007Происхождение-КитайТовары для ремонта-ELECTRICALСодержит вещества высокой опасности-Нет..
121.27 ₽
В корзину
Популярный
Модуль регулировки напряжения-Микросхема MJE13009, E13009-2MJE13009, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт [TO-220]ХарактеристикиНазвание бренда-TZTНомер модели-MJE13009Происхождение-КитайТовары для ремонта-ELECTRICALСодержит вещества высокой опасности-Н..
154.35 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: MJF18004Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМак..
210.55 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Микросхема S1854 является драйвером регулятора для линейного телевизора, который состоит из транзистора усилителя ошибки, стабилитрона стандартного напряжения и поликремниевых резисторов на монолитной микросхеме.Мощный биполярный транзистор, 0.05AI (..
146.62 ₽
В корзину
Популярный
Характеристики транзистора SS8050Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 1.5 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 ..
9.57 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор SS9012Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимальный постоя..
3.47 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеНаименование производителя: SS9015Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcим..
2.83 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор SS9018Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 VМакcимальный постоянн..
4.15 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Характеристики транзистора TIP102Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 8 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 80..
92.61 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Технические параметрыСтруктура npn darlington с 2 резисторами и диодомМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80Максимально допустимый то..
69.46 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор TIP31AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимо..
30.97 ₽
В корзину
Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).
В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.
Самый известный полупроводник — кремний (Si).
Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.
Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.