0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
КТ837ФТранзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корп..
31.33 ₽
В корзину
Популярный
КТ852АТранзисторы КТ852А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28 (ТО-22..
31.33 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Транзистор биполярный КТ 925БТехнические параметрыЕмкость коллекторного перехода:не более 30 пФКонфигурация n-p-nКоэффициент усиления мощности:не менее 5 дБМаксимальное напряжение эмиттер-база:4 ВМаксимальный ток коллектора импульсный:3 АМощность рас..
771.75 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеГТ403АТранзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Выпускаются..
31.33 ₽
В корзину
Популярный
КТ3127АТранзистор КТ3127А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц.Предназначен для применения в усилителях высокой частоты. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибким..
55.94 ₽
В корзину
Популярный
КТ361ГТранзисторы КТ361Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке.Масса тран..
7.83 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
IHW30N120R3 H30R1203 IHW30N120R2 H30R1202 IHW30N120R H30R120 TO-247 30A 1200V IGBTАвтоматический ИС, цифро-аналоговый контур, одночиповый микрокомпьютер, фотоэлектрическая муфта, хранение, T Третермальный регулятор напряжения, SCR, Полевой эффект, Шо..
601.19 ₽
В корзину
Популярный
Технические параметрыМаксимальная определяемая длина волны 1100нмДлина волны пиковой чувствительности 850нмМинимальная определяемая длина волны 400нмМатериал диода КремнийПроизводитель ..
13.47 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Фототранзисторы – полупроводниковые приборы, разновидность биполярных транзисторов. Они отличаются от классических устройств доступностью области базы для светового излучения, благодаря чему можно контролировать усиление электрических сигналов при по..
186.07 ₽
В корзину
Популярный
Продано
Биполярный транзистор 2SA1370Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 VМакcимально допустим..
17.41 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Транзистор 2SA1615Z — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-251.пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе ба..
67.64 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Производитель: Matsushita (Panasonic)Регулятор скорости вpащения двигателяКорпус: TO-126..
84.96 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Популярный
Продано
Микросхема BA3302 представляет собою двухканальный предусилитель.Напряжение питания = 6... 16 В;Входное сопротивление = 300 кОм;Коэффициент нелинейных искажений (Vсс = 8 В, V0ит = 0,3 В) = 0,04%;Среднеквадратичное напряжение шума, приведенное ко вход..
124.60 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Микросхема BA532 представляет собою усилитель низкой частоты.Напряжение питания = 9...16 В;Максимальная выходная мощность (Vcc = 13,2В, RL = 4 Ом, КНИ = 10%) = 5,8Вт;Возможность мостового включения;Номинальный коэффициент усиления = 55 дБ;Потребляемы..
156.30 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
ОписаниеНаименование производителя: BF459Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимал..
33.50 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Симистop (симметричный триодный тиристор) или триак — полупроводниковый прибор, являющийся разновидностью тиристоров и используемый для коммутации в цепях переменного тока. В электронике часто рассматривается как управляемый выключатель (ключ). В отл..
118.12 ₽
Нет в наличии
Популярный
Продано
Популярный
Продано
Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).
В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.
Самый известный полупроводник — кремний (Si).
Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.
Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.