0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Полупроводники

Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SC2581Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный постоянный т..
150.93 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SC2594Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допустимо..
100.24 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SC2603Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный постоянный то..
4.59 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
16.42 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SC2611Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допус..
68.62 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2621Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcи..
30.88 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SC2625Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный то..
124.81 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
17.60 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2668OТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcи..
10.30 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2682YТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 VМакcи..
52.50 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2688Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcи..
17.20 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2712Маркировка: LG_LL_LOТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмит..
5.49 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..
59.08 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SC2785Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допусти..
2.48 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 AПреде..
135.32 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2910Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 VМакc..
47.91 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеИсходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)Структура полупроводникового перехода: npnPc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe1W 160V 140V - 500mA 125°C 25MHz - ..
64.41 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC2983Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 VМакcим..
155.53 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC3000Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcи..
28.88 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC3026Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 AПредельная температу..
372.10 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SC3030Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допусти..
354.41 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SC3040Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допусти..
183.75 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SC3070Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимое..
40.70 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC3074YТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcима..
69.16 ₽
В корзину
Полупроводники

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.