0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
102.44 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
ОписаниеТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер..
6.91 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база |Vcb|: 70 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|: 45 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база |Ve..
47.01 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Биполярный транзистор 3DD2499 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: 3DD2499 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение колл..
110.00 ₽
В корзину