0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Заканчивается
- Производитель: SILICON
- Код Товара: 22169
- Артикул: 22169
- Бонусные баллы: 3
- Наличие: В наличии
110.00 ₽
Цена в бонусных баллах: 90
3 или больше 104.50 ₽
10 или больше 102.30 ₽
30 или больше 100.10 ₽
Основные характеристики
Все характеристики
Аналоги:
---------------------
Тип корпуса:
TO-3PHIS
Страна производства:
Россия
Стандарт пачки:
1
Стандарт упаковки:
1
- Обзор товара
- Характеристики
- Отзывов (0)
Биполярный транзистор 3DD2499 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD2499
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO-3PHIS
Наименование производителя: 3DD2499
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO-3PHIS
Характеристики
Основные характеристики
Аналоги
---------------------
Тип корпуса
TO-3PHIS
Страна производства
Россия
Упаковка
Стандарт пачки
1
Стандарт упаковки
1
Отзывов (0)
Нет отзывов об этом товаре.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.