Транзисторы биполярные

Популярный

Заканчивается

BU 426A

ОписаниеНаименование производителя: BU426AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 114 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..

213.37 ₽

В корзину

Популярный

BU 508AF "Sanyo"

ОписниетипТранзисторы биполярныеНаименование:BU 508 AF /SOT199/ SANYOБрэнд:SANYOОписание: BU 508 AF /SOT199/ SANYOПараметры:Тип - Si-NНапряжение Umax (V) - 1500.00Напряжение Unom (V) - 700.00Ток Ic (A) - 5.00Мощность Pq (W) - 34.00Коэф. усиления - 20..

66.71 ₽

В корзину

Популярный

BU 806

90.22 ₽

В корзину

Популярный

BU 807

Корпус (размер) TO-220-3Тип монтажа ВыводнойPower - Max 60WCurrent - Collector Cutoff (Max) 100µAVce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA..

62.98 ₽

В корзину

Популярный

BU 941ZPFI

Биполярный транзистор BU941ZPFIТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допус..

349.55 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUH 315

Биполярный транзистор BUH315Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допусти..

192.89 ₽

В корзину

Популярный

BUT 11AF

ОписаниеНаименование производителя: BUT11AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакc..

41.79 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUT 11AX

Биполярный транзистор BUT11AX Даташит. Аналоги Наименование производителя: BUT11AX Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально ..

82.00 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12A

Биполярный транзистор BUT12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

112.52 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12AF

Биполярный транзистор BUT12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

145.82 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUT 18AF

Биполярный транзистор BUT18AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимально допуст..

121.40 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUV 48C

Биполярный транзистор BUV48CТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допуст..

258.66 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11A

255.96 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11AF

76.37 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12A

Биполярный транзистор BUW12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

204.46 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12AF

Биполярный транзистор BUW12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

220.92 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 13A

Биполярный транзистор BUW13AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

246.99 ₽

В корзину

Популярный

DTA 124EN

ОписаниеНаименование производителя: DTA124EМаркировка: AC4EТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..

3.44 ₽

В корзину

Популярный

DTA 124ES

ОписаниеНаименование производителя: DTA124ES3Маркировка: 6BТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..

3.44 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

DTA 143ES

ОписаниеНаименование производителя: DTA143ESAТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеиваемая мощност..

30.86 ₽

В корзину

Популярный

DTA 144ES

ОписаниеНаименование производителя: DTA144ES3Маркировка: 6CТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..

21.01 ₽

В корзину

Популярный

DTC 124ESF

Производитель ON Semiconductor..

5.94 ₽

В корзину

Популярный

DTC 144ES

корпус: TO92S/formed, инфо: Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОмТехнические параметрыСтруктура npn-цифровойМакс. напр. к-б при заданном обратно..

3.44 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

Транзистор бтполярный 2SC 3277

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3277Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..

150.93 ₽

В корзину