0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Биполярный транзистор 2SC4833Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допусти..
65.84 ₽
В корзину
Популярный
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..
156.15 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база..
188.12 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеНаименование производителя: KSC5030FТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМак..
117.06 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: 2SC5048Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакc..
157.82 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Биполярный транзистор 2SC5239Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимально допусти..
339.49 ₽
В корзину
Популярный
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..
170.39 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора 2SC536Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.1 АРассеиваемая мощность коллектора, не б..
3.42 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
2SD1047, Транзистор биполярный, NPN, Ic=12А, Vceo=140В, Vcbo=160В, Pd=100Вт [TO-3PN]Технические параметрыСтруктура npnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой..
137.16 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается

Электронные компоненты (радиодетали) — это составляющие части электронных схем.
Просторечное название электронных компонентов — «радиодетали» — появилось от того, что в начале XX века первым повсеместно распространённым и при этом технически сложным для неспециалиста электронным устройством стало радио.
Изначально термин «радиодетали» означал электронные компоненты, применяемые для производства радиоприёмников; затем обиходное название распространилось и на остальные радиоэлектронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.